科技
长鑫存储据报启动HBM3E风险量产，样品已送交平头哥与寒武纪: 据报道，ChangXin Memory Technologies已开始HBM3E的风险生产，早期样品正在Alibaba的T-Head和Cambricon进行认证。良率、产量和最终规格仍未披露。乐观的时间表表明，商用生产可能于2027年左右开始。
Hardware • Pandaily
永久链接阿斯麦联合台积电三星英特尔 拟将最新光刻机产能提升40%: ASML已与三星、台积电和英特尔达成协议，转向使用更大的光掩模，预计这将使其最新EUV机器的吞吐量提高40%。
Hardware • The Decoder
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